Teledyne e2v的MRAM EV2A16A是Everspin的MR2A16A的扩展可靠性版本。对于必须永久存储和快速检索关键数据的应用程序，它是理想的存储器解决方案。它完全符合关键嵌入式应用的要求，如航空电子、航天航天和国防环境。
磁性随机存储（MRAM）是一种支持独特的快速读写周期的非易失、长寿命的技术。该技术无需定期刷新，可在掉电的时候保护数据。
EV2A16A是Everspin的MR2A16A的扩展可靠性版本。对于必须永久存储和快速检索关键数据的应用程序，它是理想的存储器解决方案。它完全符合关键嵌入式应用的要求，如航空电子、航天航天和国防环境。
对于任何需要永久存储和快速检索数据的应用，MRAM是理想的解决方案。MRAM已被确定为国防和航空航天领域的战略选择产品，原因如下：它是非易失性存储器，能够提供超过20年的数据保存时间；它可提供35ns的超快读写周期；它可实现卓越的可靠性。
应用
- 国防：雷达、ECM、场通信、电子战
- 航空航天：飞行计算机、显示、引擎控制
- 工业：井下或内部计算机
主要特点
- 封装：44脚TSOP type-II，与SRAM管脚兼容
- 工业温度范围（-40～110℃）和军级温度范围（-55～125℃）
- 单3.3V电源
- 支持快速访问（35ns）的对称读写周期
- 灵活的数据总线控制：8位或16位访问
- 完全非易失操作
优点
- 完全无限制的读写寿命和非易失性
- 高性能 – 35ns读写周期
- 军温范围内可靠工作
- 小尺寸，支持未来项目的扩展
MMR
| 器件 | 产品描述 | 温度范围 | 封装 | 数据手册 |
| EV2A16A | 4M磁性RAM 8位/16位 35ns访问时间 | 筛选 | TSOP II |  |
| EV2A08A | 4M磁性RAM 8位35ns访问时间 | 筛选 | TSOP II | |
联系我们
请填写以下信息，立即获取业务帮助。